东芝和西数正研发128层3D NAND闪存最早2020年上市_威尼斯人平台平台

本文摘要:据外部媒体报道,东芝及其战略同盟国西部数据计划推出更高密度的128层3DNAND存储器。

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据外部媒体报道,东芝及其战略同盟国西部数据计划推出更高密度的128层3DNAND存储器。在东芝命名法中,这个芯片被命名为BiCS-5。据介绍,芯片将构建TLC而不是改版后的QLC。

这可能是因为NAND内存制造商依然担心QLC芯片的低生产率。这个芯片的数据密度是512Gb,新的128层芯片的容量比96层芯片多33%,从2020年到2021年可以建立商业化生产。据报道,新芯片的每单位信道负载性能从66MB/s减少到了132MB/s。据报告,该芯片还使用了CuA (阵列电路),这是一个设计想法,节省了15%的芯片尺寸。

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